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而在0Cu中,条件退款同胞位错仍然控制着硬化。在固溶处理的时候,被人这些区域往往导致再结晶出现,从而破坏了单晶结构。
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然而,利用宽带隙SnSe晶体(~0.86eV)具有优良的电传输性能,因为其层状结构实现更高的面内载流子迁移率μ和多波段使有效质量m*更大。跪求相关成果以题为Powergenerationandthermoelectriccoolingenabledbymomentumandenergymultibandalignments发表在了Science。
(I)计算参数μ(m*)3/2作为Pb分数的函数,放过表明Pb合金化对p型SnSe晶体电传输性能的优化。基于研究结果,中国者无未来的工作重点是通过使用最佳的接触材料和组装方法来降低界面电阻,从而提高热电设备的性能。
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